STW77N65M5介绍：

描述 MOSFET N-CH 650V 69A TO-247

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

制造商标准提前期 46 周

详细描述 通孔 N 沟道 650V 69A（Tc） 400W（Tc） TO-247-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 STMicroelectronics

系列 MDmesh™ V

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 650V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 69A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 200nC @ 10V

Vgs（值） 25V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 9800pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（值） 400W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 38 毫欧 @ 34.5A，10V

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-247-3

封装/外壳 TO-247-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

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MOSFET在数位电路上应用的另外一大优势是对直流（DC）讯号而言，MOSFET的栅极端阻抗为无限大（等效于开路），也就是理论上不会有电流从MOSFET的栅极端流向电路里的接地点，而是完全由电压控制栅极的形式。

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