SIHD7N60E-E3介绍：

描述 MOSFET N-CH 600V 7A TO-252

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 表面贴装 N 沟道 600V 7A（Tc） 78W（Tc） D-PAK（TO-252AA）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Vishay Siliconix

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 4V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 40nC @ 10V

Vgs（值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 680pF @ 100V

FET 功能 -

功率耗散（值） 78W（Tc）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 600 毫欧 @ 3.5A，10V

工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D-PAK（TO-252AA）

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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正因为晶体管的性能如此优越，晶体管诞生之后，便被广泛地应用于工农业生产、国防建设以及人们日常生活中。1953年，首批电池式的晶体管收音机一投放市场，就受到人们的热烈欢迎，人们争相购买这种收音机。接着，各厂家之间又展开了制造短波晶体管的竞赛。

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