TK16J60W介绍：

描述 MOSFET N CH 600V 15.8A TO-3P(N)

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）

详细描述 通孔 N 沟道 600V 15.8A（Ta） 130W（Tc） TO-3P（N）

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Toshiba Semiconductor and Storage

系列 DTMOSIV

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 15.8A（Ta）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 190 毫欧 @ 7.9A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 3.7V @ 790μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 38nC @ 10V

Vgs（值） ±30V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 1350pF @ 300V

FET 功能 超级结

功率耗散（值） 130W（Tc）

工作温度 150°C（TJ）

安装类型 通孔

供应商器件封装 TO-3P（N）

封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

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晶体管的低成本、灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜、更有效地，仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。因为晶体管的低成本和后来的电子计算机、数字化信息的浪潮来到了。

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