IRLR3110ZTRPBF介绍：

描述 MOSFET N-CH 100V 42A DPAK

详细描述 表面贴装 N 沟道 100V 42A（Tc） 140W（Tc） D-Pak

类别 分立半导体产品

晶体管 - FET，MOSFET - 单

制造商 Infineon Technologies

系列 HEXFET®

包装    带卷（TR） 

零件状态 在售

FET 类型 N 沟道

技术 MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） 100V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）

驱动电压（ Rds On， Rds On） 4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值） 14 毫欧 @ 38A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值） 2.5V @ 100μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值） 48nC @ 4.5V

Vgs（值） ±16V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值） 3980pF @ 25V

FET 功能 -

功率耗散（值） 140W（Tc）

工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型 表面贴装

供应商器件封装 D-Pak

封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

安富利（深圳）商贸有限公司介绍：

公司所销售产品涉及世界各名厂IC,:INFINEON(英飞凌)，XILINX、LINEAR、ALTERA(阿特拉 )、

ATMEL(爱特梅尔)、STC单片机、英特尔(Intel) 、德州仪器(TI)、飞利浦(Philip）、海力士(Hynix)、MITSUBISHI (三菱)、美国仿真器件(ADI)、国际整流器(IR)、

台湾硅成(ICSI)、三星(Samsung)、瑞萨(Renesas)、东芝(Toshiba)、意法(ST)、

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无论多么优良的电子管，晶体管都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起性器件的美名。

1998年Infineon公司是全球十大半导体制造商之一。该公司在全球亚、欧、美三大洲5个国家拥有10个制造工厂，在九个国家设有16个研发中心，1998年员工约25,000人，主要合作伙伴有Motorola、IBM、MoselVitelic等。

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