K9G8G08UOB-PCBOddr笔记本内存价格主图

K9G8G08UOB-PCBOddr笔记本内存价格参数

制造商IC编号K9G8G08UOB-PCBO

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码1GX8 NAND MLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7V-3.6V

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用

K9G8G08UOB-PCBOddr笔记本内存价格相关信息

从供给端看，随着 DRAM 工艺推进放缓，供给增速整体放缓，产能波动基本稳定。 产能方面，DRAM 位元供给的增长来源以工艺进步带来的密度提升为主，以产能扩张带来的投片量提升为辅。但是近年来 DRAM 在进入 20nm 制程以后，制程提升开始遇到瓶颈，主流厂商出于成本和研发难度的考虑，对 1Xnm 及以下制程的开发应用比较谨慎。

目前，三星、镁光、海力士正在从 20nm 向 18nm 艰难挺进，台湾厂商除南亚科外仍主要采用 38nm 制程。制程推进放缓和存储密度增速降低直接导致 DRAM 综合位元供给增速下降。 产量方面，全球 DRAM 产能和投片量在 2010 年—2013 年间有一阵明显的洗牌。 2010 年 40nm 制程 DRAM 产品开始进入主流市场，在随后三年里制程工艺前沿快速提升到 20nm。2013—2017 年从供给端来看是一个产能的平台期，总体产能稳定，20nm 制程占比逐步提升。DRAM 价格在这一时期先抑后扬，主要是在消化前期制程提升带来的丰富供给。 2018 年，三星扩产 8％，海力士无锡厂也小幅扩产，快速填补需求缺口，景气行情终结。但是之后除海力士外其他大厂商均无大规模扩产，总体年投片量增幅在 3％~5％之间。 2020 年后 5G 和 AI 的普及和应用将成为拉动半导体需求的重要力量，同时下一代 DRAM 制程也将开始普及，整个 DRAM 市场供需关系会更加复杂，但规模总体向上的趋势是确定的。 因此，国泰君安电子团队认为，今明两年会是一个投片量、制程水平的双重平台期，预计需求增速的反超会在 2019 年消化库存，2020 年前后 DRAM 位元供求会重新达到平衡。

企业名：深圳振华航空半导体有限公司

类型：贸易/代理/分销

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