K9WAG08U1A-PCB0笔记本ddr内存主图

K9WAG08U1A-PCB0笔记本ddr内存参数

制造商IC编号K9WAG08U1A-PCB0

厂牌SAMSUNG/三星

IC 类别FLASH-NAND

IC代码2GX8 NAND SLC

脚位/封装TSOP

外包装TRAY

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)2.7v-3.6v

温度规格0°C to +85°C

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用LED APPLICATION/LED應用OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買ICVGA CARD MANU./顯卡製造商

K9WAG08U1A-PCB0笔记本ddr内存相关信息

全闪存储成本高？

从成本来看，SSD的同容量成本显著高于HDD，因此在对于大容量为主、顺序读写为主的侧重高带宽与延迟不高的应用场景下，混闪的部署成本依然要低于全闪。但如果是对性能有要求的话，相同的高IOPS性能下，全闪存储相比混闪存储，有着更低的发热量和功耗，也能节省存储部署的数量和空间，对机房空间的占用和TCO都会更低，能够节约超过一半的能源成本。选择全闪存储，虽然成本会有所上升，但是从整体使用效果来看，性价比是远大于传统存储的。

除此之外，浪潮还启动了混闪升级全闪活动，从7月到1日至9月30日，只要是新签的AS5500G2、AS5600G2、AS5800G2存储订单，都能享受“混闪升级全闪”的待遇——这几款浪潮存储产品原本的1.8TB SAS硬盘将会被升级为1.92TB SSD，价格不变、性能提速10倍以上，物理容量还多6%。

07全闪存储还有哪些优势？浪潮全闪具备在线的重删、压缩功能，通过在线减少重复数据写入的方法进一步的提升存储介质的寿命，延长整个全闪系统的寿命，例如典型的Oracle数据库场景，我们实测的数据缩减比可以到3：1以上，虚拟化场景下我们存储数据缩减比可以达到5：1以上，浪潮全闪存储的重删压缩使用了独立的压缩卡技术，不占用系统内存空间，开启后对于存储系统性能损耗极低。另外使用闪存介质优化后的存储系统，在功耗和相同IOPS下的物理空间利用 ，分别可下降80%的功耗和85%的物理空间需求，功耗的下降意味着供电和制冷损耗都会产生相应的下降，AIOps智能运维系统可以使客户的运维人力成本下降50%以上。

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