MT41J64M16JT-15EIT:G存储芯片制造商价格主图

MT41J64M16JT-15EIT:G存储芯片制造商价格参数

制造商IC编号MT41J64M16JT-15EIT:G

厂牌MICRON/美光

IC 类别DDR3 SDRAM

IC代码64MX16 DDR3

脚位/封装FBGA

外包装TAPE ON REEL

无铅/环保无铅/环保

电压(伏)1.5 V

温度规格-40°~+85°C(IND)

速度

标准包装数量2000

标准外箱

潜在应用MODULE MAKER/模组內存厂商MOTHERBOARD MANU./主機板製造商

MT41J64M16JT-15EIT:G存储芯片制造商价格相关信息

SK 海力士近又研发出了新型 DRAM 工艺，号称创下业内单芯密度记录。SK 海力士公司宣布，其已成功开发出 1Znm 16GB DDR4 动态随机存储器（DRAM），创下了业内单芯密度的纪录。与上一代 1Y nm 产品相比，其产能提升约 27%，因其无需昂贵的极紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本竞争优势。此外，新型 1Z nm DRAM 还支持高达 DDR4-3200 的数据传输速率。与使用 1Y nm 工艺打造、基于 8Gb DRAM 制成的同容量模块相比，其能耗更是降低了 40% 。

值得一提的是，SK hynix 引入了上一代制造工艺中未引入的新材料，从而限度地提升了 1Z nm 产品的电容。作为 DRAM 运行的关键要素，其决定了内存可存储的电荷量，且新设计能够提升操作的稳定性。SK hynix DRAM 开发与业务负责人 Lee Jung-hoon 表示：1Z nm DDR4 DRAM 具有业界的密度、速度和能效优势，使之成为追求高性能、高密度 DRAM 客户适应不断变化需求的选择。SK hynix 将于明年开始量产并全面交付，以积极响应市场需求。，SK hynix 计划将 1Znm 工艺扩展到各种应用，如下一代 LPDDR5 移动 DRAM、以及更快的 HBM3 显存上。

镁光(Micron)身为世界第二大内存颗粒制造商。产品在国内极少现身。这是因为镁光很少将自己的优质颗粒卖给其他内存品牌。其颗粒供自家DIY品牌Crucial使用及品牌机OEM市场。在IBM.COMPAQ.HP.Dell等国际品牌都可以看到其内存颗粒的产品。可知其稳定性及超频性好。

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