NT5CB128M16FP-DIhynix闪存芯片制造商主图

NT5CB128M16FP-DIhynix闪存芯片制造商参数

制造商IC编号NT5CB128M16FP-DI

厂牌NANYA/南亞

IC 类别DDR3 SDRAM

IC代码128MX16 DDR3

脚位/封装

外包装

无铅/环保含铅

电压(伏)

温度规格

速度

标准包装数量

标准外箱

潜在应用C TESTING & PACKAGING/IC测试和封装

OEM/ODM/TURNKEY/BUYING IC/组装代工廠/購買IC

UNKNOWN/未定义

NT5CB128M16FP-DIhynix闪存芯片制造商相关信息

三星去年8 月就宣布推出款采用3D立体硅穿孔封装技术打造的内存芯片，单条DDR4 内存条容量高达64GB。三星近日宣布,将批量生产128GB 内存芯片，容量比去年翻了一倍。

“我们很高兴批量生产高速度运行、低功耗的128GB立体硅穿孔封装技术DRAM内存，这将促进我们全球IT客户和合作伙伴推出新一代的企业解决方案,”三星电子内存销售及营销的副总裁Joo Sun Choi称。

据悉，在这个小小的内存芯片中，三星内置了144 个芯片，形成了36×4GB DRAM 封装，每个封装中有4×8Gb 芯片，所以采用128GB 的容量。而且该内存芯片采用了三星的20毫微米工艺制造，数据传输速度高达2400Mbps。它的作用是，代替使用互连引线接合，像在常规芯片封装芯片堆叠的是，在芯片管芯是第一精细研磨，然后用细孔穿孔电极由穿过孔垂直连接。这提升信号传输并配上模块的特殊设计，当它优化模块的功耗和性能。

三星正研究20毫微米的8GB内存芯片，接下来数据传输速度将逐步提升到3200Mbps和2667Mbps。另外，三星还会把硅穿孔技术应用到高带宽内存中。

这是一个什么样的概念?这或许意味着在条件允许的情况下，就算你玩的是目前市面上所需配置的游戏，不论是单机还是网络游戏，十开都不会卡!这不是夸大其词，毕竟，8GB 配置的笔记本电脑目前就基本已经可以支持玩所有的大型游戏了。

当然，这样一个RAM 内存芯片的价格自然不会便宜，虽然三星没有给出具体价格，但是他们也表示，这款RAM 内存芯片的价格不会低于一台普通的笔记本电脑。

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