高压P沟道mos管

    改动栅压可以改动沟道中的电子密度，从而改动沟道的电阻，这种MOS场效应晶体管称为P沟道增强型场效应晶体管。

    P沟道MOS晶体管的空穴迁移率低,因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。

    原理

    正常工作时，P沟道增强型MOS管的衬底必需与源极相连，而漏心极的电压Vds应为负值，以保证两个P区与衬底之间的PN结均为反偏，同时为了在衬底顶表面左近构成导电沟道，栅极对源极的电压Vgs也应为负。

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    高压P沟道mos管

    型号/规格：50P03

    品牌/商标：JXVSEMI

    封装形式：TO-252

    环保类别：无铅环保型

    安装方式：贴片式

    包装方式：卷带编带包装

    功率特征：大功率

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公司介绍：

    深圳市福启达科技有限公司是一家半导体IC及分立器件的民营高科技企业。公司主营二三极管，场效应MOS管，可控硅，LDO/ESD/TVS/供应商。可按照客户特殊要求订做，提供电子元器件配单BOM单配套服务！产品通过ISO9001:2000及ISO14001和SGS。产品广泛应用于数码产品-通讯产品-家用电器-玩具-节能灯-新能源等多个领域。公司本着始终满足客户需求，不懈追求客户满意的服务宗旨，积极倡导“开拓 创新 诚信 共赢”的企业发展理念。以诚信铸就品牌，以科技成就未来，以创新成就发展，努力为客户创造价值。

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