晶体管 - UGBT IKW25N120T2FKSA1 Infineon

一般信息

数据列表       IKW25N120T2;

标准包装      30

包装      管件 

零件状态       有源

类别       分立半导体产品

产品族    晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

系列       TrenchStop®

其它名称       IKW25N120T2

IKW25N120T2-ND

SP000244960

晶体管 - UGBT IKW25N120T2FKSA1 Infineon 

规格

IGBT 类型     沟道

电压 - 集射极击穿（大值）  1200V

电流 - 集电极 (Ic)（大值）   50A

电流 - 集电极脉冲 (Icm)   100A

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（大值）      2.2V @ 15V，25A

功率 - 大值     349W

开关能量       2.9mJ

输入类型       标准

栅极电荷       120nC

25°C 时 Td（开/关）值     27ns/265ns

测试条件       600V，25A，16.4 欧姆，15V

反向恢复时间 (trr)       195ns

封装/外壳      TO-247-3

供应商器件封装    PG-TO247-3

 晶体管 - UGBT IKW25N120T2FKSA1 Infineon

公司简介：

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