NAND闪存：KK9F8G08U0M-PIB0
制造商：SAMSUNG
内存集成电路类型：FLASH
封装：TSSOP
电源：3/3.3 V
压摆率：0.035 mA
供电电压 (Vsup)：3.6 V
供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V

NAND闪存：K9F8G08U0M-PIB0功能摘要：
•电压供应
 -2.70V〜3.60V
•组织
 -存储单元阵列：（1G + 32M）x 8位
 -数据寄存器：（2K + 64）x 8位
•自动编程和擦除
 -页面程序：（2K + 64）Byte
 -块擦除：（128K + 4K）Byte
•页面读取操作
 -页面大小：（2K + 64）Byte
 -随机读取：25μs（值）
 -串行访问：25ns（）
 * K9NBG08U5A：50ns（）
1G x 8位/ 2G x 8位/ 4G x 8位NAND闪存
•快速的写入周期时间
 -页面编程时间：200μs（典型值）
 -块擦除时间：1.5ms（Typ。）
•命令/地址/数据多路复用I / O端口
•硬件数据保护
 -电源转换期间的编程/擦除锁定
•可靠的CMOS浮栅技术
 -耐久性：100K编程/擦除周期（具有1bit / 512ByteECC）
 -资料保留时间：10年
•命令驱动操作
•具有内部1bit / 528Byte EDC的智能回写
•版权保护的ID
•包装：
 -K9K8G08U0A-PCB0 / PIB0
 48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
 -K9WAG08U1A-PCB0 / PIB0
 48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）
 -K9WAG08U1A-ICB0 / IIB0
 52-TLGA引脚（12 x 17 / 1.0 mm间距）
 -K9NBG08U5A-PCB0 / PIB0

 48-TSOP I引脚（12 x 20 / 0.5 mm间距）

NAND闪存：产品列表：

NAND闪存：推荐工作条件：

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