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NCV8406ADTRKG DPAK MOSFET管

  • 型号/规格:

    NCV8406ADTRKG

  • 品牌/商标:

    ON(安森美)

  • 封装形式:

    DPAK-3 (TO-252-3)

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    直插式

  • 包装方式:

    圆盘

  • 产品种类:

    MOSFET

  • 封装 / 箱体:

    DPAK-3 (TO-252-3)

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 通道数量:

    1 Channel

  • Vds-漏源极击穿电压:

    65 V

  • PDF资料:

    点击下载PDF

金牌会员 第 4
  • 企业名:深圳市华芯源电子有限公司

    类型:生产制造商

    电话: 0755-83798683
    0755-83387396
    0755-83798276

    手机:19129491930
    15019275130
    13392870205

    联系人:张小姐/彭先生/苏小姐

    QQ: QQ:1139848500QQ:2881240035QQ:2881494774

    微信:

    邮箱:1139848500@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华强街道办华强广场D座16B

商品信息

型号:NCV8406ADTRKG

型号:NCV8406ADTRKG

型号:NCV8406ADTRKG

产品属性 属性值 选择属性

制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 14 V, + 14 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: -
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.31 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: NCV8406A
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 692 ns
产品: Driver ICs - Various
产品类型: MOSFET
上升时间: 486 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Low Side
典型关闭延迟时间: 1600 ns
典型接通延迟时间: 127 ns

单位重量: 351 mg



型号:NCV8406ADTRKG

型号:NCV8406ADTRKG

型号:NCV8406ADTRKG


产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 14 V, + 14 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: -
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.31 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: NCV8406A
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 692 ns
产品: Driver ICs - Various
产品类型: MOSFET
上升时间: 486 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Low Side
典型关闭延迟时间: 1600 ns
典型接通延迟时间: 127 ns
单位重量: 351 mg



产品属性 属性值 选择属性
制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 65 V
Id-连续漏极电流: 7 A
Rds On-漏源导通电阻: 210 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 14 V, + 14 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: -
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.31 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
系列: NCV8406A
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: onsemi
配置: Single
下降时间: 692 ns
产品: Driver ICs - Various
产品类型: MOSFET
上升时间: 486 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: Low Side
典型关闭延迟时间: 1600 ns
典型接通延迟时间: 127 ns
单位重量: 351 mg

联系方式

企业名:深圳市华芯源电子有限公司

类型:生产制造商

电话: 0755-83798683
0755-83387396
0755-83798276

手机:19129491930
15019275130
13392870205

联系人:张小姐/彭先生/苏小姐

QQ: QQ:1139848500QQ:2881240035QQ:2881494774

微信:

邮箱:1139848500@qq.com

地址:广东深圳深圳市福田区华强街道办华强广场D座16B

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