IRFP260N
INFINEON(英飞凌)
TO-247-3
无铅环保型
贴片式
圆盘
场效应管(MOSFET)
N-Channel
1 Channel
200 V
50 A
企业名:深圳市华芯源电子有限公司
类型:生产制造商
电话:
0755-83798683
0755-83387396
0755-83798276
手机:19129491930
15019275130
13392870205
联系人:张小姐/彭先生/苏小姐
微信:
邮箱:1139848500@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强街道办华强广场D座16B
型号:IRFP260N
型号:IRFP260N
产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon单位重量: 6 g
型号:IRFP260N 型号:IRFP260N
产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 48 ns
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 60 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
宽度: 5.31 mm
单位重量: 6 g
产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 200 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 300 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon / IR
配置: Single
下降时间: 48 ns
高度: 20.7 mm
长度: 15.87 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 60 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 55 ns
典型接通延迟时间: 17 ns
宽度: 5.31 mm
单位重量: 6 g
企业名:深圳市华芯源电子有限公司
类型:生产制造商
电话:
0755-83798683
0755-83387396
0755-83798276
手机:19129491930
15019275130
13392870205
联系人:张小姐/彭先生/苏小姐
微信:
邮箱:1139848500@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强街道办华强广场D座16B