SPD02N80C3
INFINEON(英飞凌)
TO-252-2(DPAK)
无铅环保型
贴片式
圆盘
MOSFET
N-Channel
1 Channel
800 V
2 A
企业名:深圳市华芯源电子有限公司
类型:生产制造商
电话:
0755-83798683
0755-83387396
0755-83798276
手机:19129491930
15019275130
13392870205
联系人:张小姐/彭先生/苏小姐
微信:
邮箱:1139848500@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强街道办华强广场D座16B
型号:SPD02N80C3
型号:SPD02N80C3
产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon单位重量: 330 mg
产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Qg-栅极电荷: 16 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
系列: CoolMOS C3
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 18 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: SP000315409 SPD02N80C3BTMA1
单位重量: 330 mg
产品属性 属性值 选择属性
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 2 A
Rds On-漏源导通电阻: 2.4 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.1 V
Qg-栅极电荷: 16 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 42 W
通道模式: Enhancement
商标名: CoolMOS
系列: CoolMOS C3
封装: Reel
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 18 ns
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 15 ns
2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 25 ns
宽度: 6.22 mm
零件号别名: SP000315409 SPD02N80C3BTMA1
单位重量: 330 mg
企业名:深圳市华芯源电子有限公司
类型:生产制造商
电话:
0755-83798683
0755-83387396
0755-83798276
手机:19129491930
15019275130
13392870205
联系人:张小姐/彭先生/苏小姐
微信:
邮箱:1139848500@qq.com
地址:广东深圳深圳市福田区华强街道办华强广场D座16B