型号：TK090Z65Z

型号：TK090Z65Z

产品属性 属性值 选择属性

制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220SIS-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 47 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 45 W
通道模式: Enhancement
商标名: DTMOSVI
系列: TK090A65Z
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 60 ns

单位重量: 2 g

型号：TK090Z65Z

型号：TK090Z65Z

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220SIS-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 47 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 45 W
通道模式: Enhancement
商标名: DTMOSVI
系列: TK090A65Z
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 60 ns
单位重量: 2 g

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220SIS-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Id-连续漏极电流: 30 A
Rds On-漏源导通电阻: 90 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 47 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 45 W
通道模式: Enhancement
商标名: DTMOSVI
系列: TK090A65Z
商标: Toshiba
配置: Single
下降时间: 4 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 30 ns
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 100 ns
典型接通延迟时间: 60 ns
单位重量: 2 g

企业名：深圳市华芯源电子有限公司

类型：生产制造商

电话： 0755-83798683
0755-83387396
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手机：19129491930
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联系人：张小姐/彭先生/苏小姐

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