型号：C2M0160120D

型号：C2M0160120D

产品属性 属性值 选择属性

制造商: Wolfspeed
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 17.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 196 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 32.6 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Wolfspeed
配置: Single
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 小值: 4.1 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 7 ns

单位重量: 6 g

型号：C2M0160120D

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产品属性 属性值 选择属性
制造商: Wolfspeed
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 17.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 196 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 32.6 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Wolfspeed
配置: Single
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 小值: 4.1 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
单位重量: 6 g

产品属性 属性值 选择属性
制造商: Wolfspeed
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
REACH - SVHC:
技术: SiC
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 1.2 kV
Id-连续漏极电流: 17.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 196 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 5 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V
Qg-栅极电荷: 32.6 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
封装: Tube
商标: Wolfspeed
配置: Single
下降时间: 7 ns
正向跨导 - 小值: 4.1 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 12 ns
30
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 13 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
单位重量: 6 g

企业名：深圳市华芯源电子有限公司

类型：生产制造商

电话： 0755-83798683
0755-83387396
0755-83798276

手机：19129491930
15019275130
13392870205

联系人：张小姐/彭先生/苏小姐

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邮箱：1139848500@qq.com

地址：广东深圳深圳市福田区华强街道办华强广场D座16B