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SAMSUNG/三星 储存料 K4Z80325BC-HC14

供应SAMSUNG/三星 储存料 K4Z80325BC-HC14
供应SAMSUNG/三星 储存料 K4Z80325BC-HC14
  • 制造商::

    SAMSUNG/三星

  • 型号:

    K4Z80325BC-HC14

  • 系列::

    SDRAM

  • 封装:

    180FBGA

  • 数量:

    10000

  • 容量:

    8 Gb

  • 架构:

    256M x 32

  • 速率:

    14.0 Gbps

  • 刷新:

    16K / 32 ms

普通会员
  • 企业名:深圳晨欣芯讯电子科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 13751058606

    手机:13751058606

    联系人:曹先生

    QQ: QQ:2881954758

    邮箱:965413453@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区赛格科技园4栋东11D06

商品信息

K4Z80325BC-HC14 


产品概述


K4Z80325BC-HC14

图片仅供参考

IC编号 K4Z80325BC-HC14
厂牌 SAMSUNG/三星
IC 类别 GDDR6 SDRAM
IC代码 K4Z80325

产品详情

脚位/封装 FBGA
外包装
无铅/环保 含铅
电压(伏)
温度规格 0°C to +85°C
速度
标准包装数量
标准外箱
潜在应用
Bit Organization x32
Internal Banks 16 Banks
Generation 4th Generation
Power Normal Power

K4Z80325BC-HC14 

2.0关键功能
双数据速率架构;每个时钟周期两次数据传输
双向数据选通脉冲(DQS_t,DQS_c),这些脉冲与用于在接收器捕获数据的数据一起发送/接收
差分时钟输入(ck和CK)
差分数据选通脉冲(DQS和DQS)
在正CK边和负边输入的命令和地址;参考DQS两边的数据和数据掩码
8家内部银行同时运营
用于写入数据的数据掩码
突发长度:8
突发类型:顺序
读写延迟:参见表45 LPDDR3交流时序表
每次突发访问的自动预充电选项
可配置的驱动强度
所有存储体刷新、每个存储体刷新和自刷新
部分阵列自刷新和温度补偿自刷新
写调平
机构校准
HSUL_12兼容输入
VDD1/VDD2/VDDQ/VDDCA
:1.8V/1.2V/1.2V / 1.2V
无动态链接库:CK到DQS不同步
边缘对齐的数据输出,中心对齐的数据输入
工作温度:-25 ~ 85℃
使用ODT引脚的芯片端接
2/CS,2CKE

K4Z80325BC-HC14 

主要经营的品牌有:AD、AMD、ATMEL、alterA、ALLEGRO、AGILNET、XILINX、TI/BB、FAIRCHILD、ST、PHILIPS、MOTOROLA、IR、ON、NSC、SHARP、TOSHIBA、VISHAY、BROADCOM等.产品主要应用于IT、通信、遥控、航空航天、控制系统、汽车、机械、卫星数等全系列产品;产品应用于网络通信、汽车电子、工业自动化、安防、广电、电力及智能交通领域;公司有良好进货渠道。结合高科技市场拓展需要,公司不断加强技术支持服务和管理先进化的投入,降低成本,扩展客户网络。 主营范围:消费电子,工业控制,汽车电子,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络

主营范围:消费电子,工业控制,汽车电子,LED,能源控制,智能安防,家用电器,智能物联,医疗电子,通讯网络

联系方式

企业名:深圳晨欣芯讯电子科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 13751058606

手机:13751058606

联系人:曹先生

QQ: QQ:2881954758

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