原装NT5CC512M8EN-EK 存储器 LPDDR3

DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78-Pin VFBGA

DRAM 类型	DDR3L SDRAM
Chip Density (bit)	4G
组织	512Mx8
Number of Internal Banks	8
Number of Words per Bank	64M
Number of Bits/Word (bit)	8
Data Bus Width (bit)	8
（max）时钟频率 (MHz)	1866
（max）访问时间 (ns)	0.195
技术	CMOS
Interface Type	SSTL_135
工作电源电压 (V)	1.283 to 1.45
典型运行电源电压(V)	1.35
工作电流(mA)	90
温度规格(°C)	0 to 95
Number of I/O Lines (bit)	8
封装	VFBGA
针脚数	78

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