型号：IPD50P04P4-13

产品属性

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-252-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 12.6 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, %2B 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 39 nC

工作温度: - 55 C

工作温度: %2B 175 C

Pd-功率耗散: 58 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: OptiMOS

封装: Reel

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

商标: Infineon Technologies IPD50P04P4-13

配置: Single

下降时间: 28 ns

高度: 2.3 mm

长度: 6.5 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 10 ns

系列: OptiMOS-P2 2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 22 ns

典型接通延迟时间: 17 ns

宽度: 6.22 mm

零件号别名: IPD5P4P413XT SP000840204 IPD50P04P413ATMA1

单位重量: 330 mg

IPD50P04P4-13

除非另有规定，否则T j=25?C时的额定值

参数符号条件单元

连续漏电流1）I D

T C=25?C，

电压GS=-10V-50 A

T C=100?C，

V GS=-10V2）-45

脉冲漏电流2）I D，脉冲T C=25?C-200

雪崩能量，单脉冲2）E AS I D=-25A 18 mJ

雪崩电流，单脉冲I AS--50 A

栅极源电压V GS-?20 V

功耗P tot T C=25?C 58 W

工作和储存温度T j，T stg--55…%2B175?C

IEC气候类别；DIN IEC 68-1--55/175/56

特征

?P通道-正常电平-增强模式

?AEC合格

?MSL1260?C峰值回流

?175?C工作温度

?绿色包装（符合RoHS）

?100%雪崩测试

IPD50P04P4-13

参数符号条件单元
典型值。值。
热特性2）
热电阻，结-R thJC---2.6K/W
SMD版本，PCB上的设备R thJA占地面积--62
6 cm2冷却区域3）-（40
除非另有规定，否则T j=25?C时的电气特性
静态特性
漏源击穿电压V（BR）DSS V GS=0V，I D=-1mA-40--V
栅极阈值电压V GS（th）V DS=V GS，I D=-85μA-2.0-3.0-4.0
零栅电压漏电流I DSS
电压DS=-32V，电压GS=0V，
T j=25?C--0.05-1μA
电压DS=-32V，电压GS=0V，
T j=125?C2）-（20-200
栅极源泄漏电流I GSS V GS=-20V，V DS=0V---100nA
漏源通态电阻R DS（on）V GS=-10V，I D=-50A-9.2 12.6MW

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