SI7456DDP-T1-GE3 功率场效应晶体管

型号/规格：
SI7456DDP-T1-GE3
品牌/商标：
VISHAY/威世
封装形式：
PowerPAK-SO-8
环保类别：
无铅环保型
安装方式：
贴片式
包装方式：
卷带编带包装

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企业名：深圳市怡兴业电子科技有限公司

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产品分类

集成电路(IC)(11)
∟ 逻辑IC(1)∟ 时钟IC(1)∟ 其他IC(9)
电源IC(4)
∟ 稳压IC(1)∟ 其他电源IC(3)
电容器(3)
∟ 贴片(片式/SMD)电容(1)∟ 铝电解电容(1)∟ 钽电解电容(1)
电阻器(1)
∟ 贴片/片式电阻(1)
连接器/接插件(1)
∟ IC连接器(1)

新品上架

商品信息 更新时间：2022-09-15

参数名称	参数值
是否Rohsren证	符合
生命周期	Active
Objectid	1841352092
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-C5
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
风险等级	1.78
YTEOL	5.92
雪崩能效等级（Eas）	11.2 mJ
外壳连接	DRAIN
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
zui小漏源击穿电压	100 V
zui大漏极电流 (ID)	27.8 A
zui大漏源导通电阻	0.023 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-C5
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
元件数量	1
端子数量	5
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
极性/信道类型	N-CHANNEL
zui大脉冲漏极电流 (IDM)	70 A
表面贴装	YES
端子面层	MATTE TIN
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的zui长时间	30
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

公司还提供以下

封装： 0201（0603） 0402（1005） 0603（1608） 0805（2102） 1206（3216）
1210（3225） 1812（4532） 2220（5750）SI7456DDP-T1-GE3
电压：4V 6.3V 10V 16V 25V 50V 63V 100V 200V 250V 400V 500V 630V
1KV 2KV 3KV 5KV SI7456DDP-T1-GE3
精度：?0.05PF（A档） ?0.1PF（B档） ?0.25PF（C档） ?0.5%（D档）
?1%（F档） ?2%（G档） ?5%（J档） ?10%（K档）SI7456DDP-T1-GE3
?20%（M档） ?%2B80%-20%（Z档）SI7456DDP-T1-GE3
材质：COG NPO Y5V X5R X6S X7R

品牌：村田三星国巨风华华新

温馨启示：电子元件是特殊产品，技术含量较高，由于本身可能存在着多种品牌，后辍与封装，所以可能导致参数与性能的差异，如有不慎，很有可能导致元件购买错误(此种失误，非质量问题一律不退换！)，为了的解决您的问题，请您在购买我们元件前，将您所需产品的品牌、封装、脚位及后缀告诉我们！拍下物品前请与我沟通产品价格，因格不稳定，实时单价请在线咨询，以便我们能准确的发货

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