TIP132 TO-263 NPN达林顿功率晶体管

TIP132he心参数

• 电压与电流能力：
  集电极 - 发射极电压（VCEO）达 100V（zui小值），适用于 100V 以下中高压电路；集电极电流（IC）zui大 8A（连续），峰值电流 12A，满足电机驱动、电源管理等大电流需求。
• 功率耗散：
  在 25℃环境温度下，安装标准散热片时功率耗散（PD）为 70W（TO-263）；无散热片时功率耗散需限制在 3.5W 以内。
• 直流电流增益（hFE）：
  在 IC=4A、VCE=4V 条件下，hFE zui小值为 1000，典型值 2500，显著高于普通功率晶体管，可通过低基极电流实现高功率输出。
• 饱和压降：
  集电极 - 发射极饱和电压（VCE (sat)）为 2.0V，4.0V，比传统达林顿管降低约 15%，减少导通损耗。
• 工作温度：
  -65℃至 %2B 150℃宽温范围，适应工业环境及消费电子应用。
• 结构设计：
  采用平面扩散工艺优化稳定性，环氧树脂外壳符合 UL94V-0 阻燃标准；内置基极 - 发射极分流电阻（典型值 2.2kΩ），抑制漏电流并提升抗干扰能力。

TIP132产品特性

1. 超高电流增益与低驱动需求
   hFE 典型值 2500（@4A），基极电流仅需 16mA 即可驱动 4A 负载，显著降低前级驱动电路复杂度。例如，在电机控制中，可直接由微控制器 IO 口（经限流电阻）驱动，无需额外放大电路。
2. 高电压与大电流处理能力
   VCEO 达 100V，支持 100V 以下高压电路；集电极电流 8A（连续）、12A（峰值），可直接驱动 48V 直流电机、汽车继电器等大电流负载，满足工业设备及汽车电子需求。
3. 低饱和压降与高效散热
   VCE (sat) 典型值 2.0V（@4A），在 24V/4A 电源中可减少约 8W 功耗。TO-263 封装集成大面积铜质散热焊盘，热阻 RθJC=2.5℃/W（结到壳），支持直接焊接至 PCB 铜箔或散热器，散热效率比 TO-220 提升 30%。
4. 高可靠性与宽温适应性
   采用环氧树脂封装，抗机械冲击能力强；符合 RoHS 标准，无铅化工艺兼容现代绿色电子制造需求。-65℃至 %2B 150℃工作温度范围，可适应极端工业环境及消费电子设备中的温度波动。
5. 内置保护与稳定性设计
   基极 - 发射极间内置 2.2kΩ 分流电阻，抑制漏电流并提升抗干扰能力。

TIP132典型应用

• 电机驱动模块：作为高压直流电机的低侧开关，通过 PWM 控制实现速度调节，尤其适合 100V 以下供电的自动化设备，如工业机械臂、电动工具。
• 电源管理电路：在开关电源中作为主开关管，输出功率可达 150W，适用于车载充电器、消费类电子产品。
• 继电器与电磁阀控制：直接驱动 12V/24V 继电器线圈，简化控制电路设计；支持汽车电子中的燃油泵、车窗电机等大电流负载。
• 音频功率放大器：作为甲乙类互补对称功放电路的输出级，与 TIP137 配对使用，驱动 8Ω 负载时输出功率可达 50W，适用于家用音响、公共广播系统。
• LED 照明驱动：通过 PWM 控制实现大功率 LED 调光，支持 120V/230V 交流输入，效率高达 85% 以上。
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