DTB143T 是集成基极分压电阻的 PNP 型晶体管，采用 SOT-23-3 封装，内置4.7kΩ 基极串联电阻（R1）和4.7kΩ 基极 - 发射极并联电阻（R2），形成固定偏置网络，可直接与逻辑信号接口，显著简化电路设计复杂度。其集电极电流（Ic）可达500mA，集电极 - 发射极电压（VCEO）为40V，适用于中小功率开关、逻辑控制及信号调理等场景，广泛应用于消费电子、工业控制及通信设备等领域。
高集成度与精准偏置
内置 4.7kΩ/4.7kΩ 基极分压电阻网络（R1=4.7kΩ，R2=4.7kΩ），无需外部偏置电路即可直接驱动逻辑信号，显著减少元件数量和 PCB 空间占用。典型直流电流增益（hFE）zui小值为100（@50mA, 5V），适用于需要稳定放大倍数的信号放大或驱动场景。
宽工作范围与可靠性
- 集电极 - 发射极电压（VCEO）：40V
- 集电极电流（Ic）：500mA（连续）
- 工作温度范围：-55℃至 %2B 150℃，适应极端环境下的长期运行。
- 采用先进半导体工艺，集电极 - 发射极饱和电压（VCE (sat)）低至0.3V（@50mA 集电极电流），确保高效信号传输。
- 集电极截止电流（ICEO）仅500nA，有效降低漏电流干扰；发射极 - 基极截止电流（IEBO）为0.1mA，需在电路设计中关注漏电流控制。
宽输入电压兼容性
支持1.54V 至 3.6V 的逻辑电平输入（基于基极电阻分压网络推导，典型 VBE=0.7V 时输入电压需≥1.4V），可直接匹配 TTL/CMOS 逻辑信号，适用于复杂信号接口场景。
环保与安全ren证产品符合 RoHS 标准，确保生产和使用过程中不含有害物质（如铅、汞、镉等），满足欧盟及quan球环保法规要求。
| 参数 | 符号 | 标准型（DTB143T） | 单位 |
|---|
| 集电极 - 发射极电压 | VCEO | 40 | V |
| 集电极电流 | Ic | 500 | mA |
| 基极 - 发射极电压 | VBE | 0.7 | V |
| 直流电流增益 | hFE | ≥100（zui小值） | - |
| 集电极 - 发射极饱和电压 | VCE(sat) | 0.3 | V |
| 工作温度范围 | Tj | -55~%2B150 | ℃ |
| 封装尺寸（长 ? 宽 ? 高） | - | 2.9?1.65?1.10 | mm |
| 内置基极电阻 | R1 | 4.7kΩ | - |
| 内置基极 - 发射极电阻 | R2 | 4.7kΩ | - |
| 功率耗散 | Pd | 200（TA=25℃） | mW |
| 集电极截止电流 | ICEO | ≤500 | nA |
| 发射极 - 基极截止电流 | IEBO | ≤0.1 | mA |
| 输入电压范围 | Vin | 1.54~3.6 | V |
| 过渡频率 | Ft | 200 | MHz |
- 消费电子：手机、平板电脑的电源管理电路、背光控制及逻辑信号反转（PNP 特性）。
- 工业控制：PLC 输入输出模块、电机驱动电路的低电平触发开关控制，尤其适用于需兼容负电源的工业设备。
- 通信设备：基站射频模块、光纤通信接口的电平转换与信号调理。
- 办公设备：打印机、扫描仪的驱动电路及逻辑控制单元，支持 3.3V/5V 混合信号系统。
- 汽车电子：车载信息娱乐系统、传感器接口及低功耗控制电路。
- 封装形式：SOT-23-3（3 引脚）
- 引脚功能：
- 引脚 1（基极 B）：控制信号输入（内置 4.7kΩ 串联电阻至发射极）。
- 引脚 2（发射极 E）：低电平参考（内置 4.7kΩ 并联电阻至基极）。
- 引脚 3（集电极 C）：输出信号或负载连接（低电平有效）。
- 引脚排列：左下角为 1 脚，逆时针依次为 2、3 脚（B-E-C 顺序），丝印通常为 "RC6"
