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2SK3018T106 场效应管MOSFET

2SK3018T106 场效应管MOSFET
2SK3018T106 场效应管MOSFET
  • 型号/规格:

    2SK3018T106

  • 品牌/商标:

    ROHM(罗姆)

  • 封装形式:

    SOT-323

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

VIP会员 第 1
  • 企业名:深圳市百嘉顺实实业有限公司

    类型:

    电话: 0755-82788489

    手机:13798249545

    联系人:陈先生

    QQ: QQ:2851127801

    微信:

    邮箱:592300149@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华强北路华强广场D座14D,专注ROHM。支持开原型号增值税票

商品信息 更新时间:2024-11-26

2SK3018T106 产品概述 基础信息: 2SK3018T106是一款N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET),其设计旨在满足低功耗电子电路的需求。此器件由zhi名品牌ROHM(罗姆)制造,具有优异的电气特性和热管理能力,适用于多种应用场景,包括信号放大、开关控制以及小型电源管理等。 主要参数: 漏源电压(Vdss): 该器件的zui大漏源电压为30V,适合在中低压电路中使用,使其能够承受相对较高的电压而不会发生击穿。 连续漏极电流(Id): 在25?C的环境温度下,器件的连续漏极电流为100mA,这使得它能够处理小至中等电流负载。 栅源极阈值电压(Vgs(th)): 1.5V(@100?A),表明该器件在低电压下就能开始导通,适合低电压驱动。 漏源导通电阻(Rds(on)): 在10mA和4V的条件下,zui大导通电阻为8Ω,这对于节能和减少发热有重要意义。 功率耗散: 在环境温度为25?C时,该器件的zui大功率耗散为200mW,确保其在高功率应用中具有良好的散热能力。 驱动电压范围(Vgs): 能够承受?20V的栅源电压,实现灵活的控制。 输入电容(Ciss): 在5V时,zui大输入电容为13pF,这使得该器件在开关频率较高的应用中具有良好的响应特性。 封装与尺寸: 2SK3018T106的封装类型为UMT3(SC-70、SOT-323),这是一种表面贴装型封装,体积小巧,便于在紧凑的电路设计中使用。这种封装形式非常适合移动电子设备和其他空间受限的应用。 工作温度范围: 器件的工作温度高达150?C(TJ),确保其在严苛环境下能够稳定运作,适合工业设备和汽车电子等应用领域。 应用领域: 2SK3018T106的设计使其能广泛应用于各种电子设备中,包括但不限于: 小型电源管理电路 开关电源 信号开关 电池管理系统 低功耗智能设备 电机驱动 家电控制 优势: 高效能与低能耗: 其低导通电阻和高工作温度范围意味着在高效能和节能设计中,其表现优越。 宽电压和电流范围: 满足多种电路设计需求,灵活性高。 小巧的表面贴装封装: 适用于一系列紧凑型电子产品,特别是在空间有限的应用场合。 高温稳定性: 在高温环境中具有良好的工作稳定性,降低了因过热导致的失效率。

联系方式

企业名:深圳市百嘉顺实实业有限公司

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电话: 0755-82788489

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联系人:陈先生

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