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RV2C010UNT2L 场效应管(MOSFET)

RV2C010UNT2L   场效应管(MOSFET)
RV2C010UNT2L   场效应管(MOSFET)
  • 型号/规格:

    RV2C010UNT2L

  • 品牌/商标:

    ROHM(罗姆)

  • 封装形式:

    VML1006

  • 环保类别:

    无铅环保型

  • 安装方式:

    贴片式

  • 包装方式:

    卷带编带包装

VIP会员 第 1
  • 企业名:深圳市百嘉顺实实业有限公司

    类型:

    电话: 075582788489

    手机:13798240799

    联系人:陈先生

    QQ: QQ:2851127801

    微信:

    邮箱:592300149@qq.com

    地址:广东深圳深圳市福田区华强北路华强广场D座14D,专注ROHM。支持开原型号增值税票

商品信息 更新时间:2024-11-26

RV2C010UNT2L   场效应管(MOSFET) 400mW 20V 1A 1个N沟道 X2-DFN1006-3

深圳市百嘉顺实实业有限公司, 由几位从ROHM 原厂 和 WPG Holdings(大联大集团) 的前高管联合创立,我们专注于ROHM ,整合了广阔的原厂和代理商渠道, 积累了国内外非常优质的贸易商和国内终端客户。我们的宗旨是为客户提供一站式服务:不仅提供优质的货源和现货供应, 还为您提供原厂工程技术支持。如果您有ROHM的长期需求, 请告诉我们, 我们非常乐意成为您的供应商之一。我的联系方式:QQ2851127801,电话0755-8278 3089 0755-8278 8489 手机号13798240799 (陈先生-PM),定然不负您所望。

RV2C010UNT2L 安装类型 表面贴装型 不同 Id、Vgs 时导通电阻(zui大值) 470 毫欧 @ 500mA,4.5V 技术 MOSFET(金属氧化物) 驱动电压(zui大 Rds On,zui小 Rds On) 1.2V,4.5V 25?C 时电流 - 连续漏极 (Id) 1A(Ta) FET 类型 N 通道不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(zui大值) 40pF @ 10V Vgs(zui大值) ?8V 工作温度 150?C(TJ) 漏源电压(Vdss) 20V 功率耗散(zui大值) 400mW(Ta) 不同 Id 时 Vgs(th)RV2C010UNT2L (zui大值) 1V @ 1mA


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企业名:深圳市百嘉顺实实业有限公司

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