原装 NTR2101PT1G  SOT23 P沟道 三极管

分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
制造商 onsemi
系列 -
包装 卷带（TR）
FET 类型 P 通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 8 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)  3.7A（Ta）
驱动电压  1.8V~4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）52 毫欧 @ 3.5A，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）1V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）15 nC @ 4.5 V
Vgs（大值） ±8V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）1173 pF @ 4 V
FET 功能 -
功率耗散（大值）960mW（Ta）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号 NTR2101
属性 描述
标准包装 3,000

原装 NTR2101PT1G  SOT23 P沟道 三极管

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