TK20A60W,S5VX

MOSFET N-Ch DTMOSIV 600 V 165W 1680pF 20A

Applications  TK20A60W,S5VX

• Switching Voltage Regulators

Features TK20A60W,S5VX

(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.13

Ω (typ.)

by used to Super Junction Structure : DTMOS

(2) Easy to control Gate switching

(3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, I

D = 1 mA)

Absolute Maximum Ratings (Note) (T  a = 25   unless otherwise specified)  

Characteristics  Drain-source voltage  Gate-source voltage  Drain current (DC)  Drain current (pulsed)  Power dissipation  Single-pulse avalanche energy  Avalanche current  Reverse drain current (DC)  Reverse drain current (pulsed)  Channel temperature  Storage temperature  Isolation voltage (RMS)  Mounting torque  (T  c = 25    )  (t = 1.0 s)  (Note 1)   (Note 1)  (Note 2)  (Note 1)   (Note 1)  Symbol VDSS VGSS IDIDP PD EAS IAR IDR IDRP Tch Tstg VISO(RMS)  TOR  Rating  600 ±30  20  80  45  3005  20  80  150  -55 to 150  2000  0.6  Unit VAW  mJAV  N    m

型号: TK20A60W,S5VX

制造商: Toshiba 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  无铅环保  

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-220FP-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 600 V 

Id-连续漏极电流: 20 A 

Rds On-漏源导通电阻: 130 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 3.7 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 30 V 

Qg-栅极电荷: 48 nC 

工作温度: - 55 C 

工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 45 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

商标名: DTMOSIV 

高度: 15 mm  

长度: 10 mm  

系列: TK20A60W  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 4.5 mm  

商标: Toshiba  

下降时间: 6 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 25 ns  

工厂包装数量: 50  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 100 ns  

典型接通延迟时间: 50 ns  

单位重量: 6 g

企业名：深圳市中立信电子科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-23956688
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