SZGKT
BT131
双向
四极
塑料封装
平底形
普通
带散热片
高频
1（A）
1-5（mA）
1（A）
企业名：深圳市高科特半导体有限公司
类型：生产型 贸易型
电话： 86075527578291
手机：13823390688
联系人：翁策
地址：广东中国广东深圳市深圳市宝安45区翻身路富源大厦5楼
∟ 快/超快/特快恢复二极管(4)∟ 触发二极管(1)∟ 其他二极管(1)
QULCK REFERENCE DATA:
SYMBOL | PARAMETER | MAX | MAX | UNIT |
131- Repetitive peak off-state voltages RMS on-state current Non-repetitive peak on-state current | 500 | 600 |
| |
VDRM IT(RMS) ITSM | 500 | 600 | V | |
1 | 1 | A | ||
16 | 16 | A |
SYMBOL | PARAMETER | CONDITION | MIN | TYP | MAX | UNIT | |
IGT | Gate trigger current |
VD=12V, IT=0.1A
| T2 G | - | 0.4 | 3 | mA |
T2 G- | - | 1.3 | 3 | mA | |||
T2- G- | - | 1.4 | 3 | mA | |||
T2- G | - | 3.8 | 7 | mA | |||
VGT | Gate trigger current | VD=12V, IT=0.1A | - | 0.7 | 1.5 | V | |
|
| VD=400V, IT=0.1A, Tj=125℃ | 0.2 | 0.3 | - | V | |
dVD/dt | Critical rate of rise of off-state voltage | VD=67%VDRM (max) , Tj=125℃ exponential waveform, gate open circuit | 5 | 15 | - | V/us | |
tgt | Gate controlled turn-on time | ITM=1.5A, VD=VDRM (max), IG=0.1A, dIG/dt=5A/us | - | 2 | - | us | |
友情链接： 深圳市元东发电子有限公司
