DMG6601LVT-7
DIODES/美台
TSOT-26
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
小功率
企业名:深圳市英特翎科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-83299553
手机:15712006850
联系人:陈先生
微信:
邮箱:nikki-wxp@interine.com
地址:广东深圳深圳市华强北新亚洲电子商城一期6楼628室
型号DMG6601LVT-7
DMG6601LVT-7
DMG6601LVT-7
DMG6601LVT-7
类别 分立半导体产品
晶体管DMG6601
类别 分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列:-
包装 卷带(TR)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A,2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
55 毫欧 @ 3.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
12.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
422pF @ 15V
功率 - 大值
850mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
TSOT-26
基本产品编号
DMG6601
类别 分立半导体产品
晶体管
FET,MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
系列:-
包装 卷带(TR)
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
N 和 P 沟道
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
3.8A,2.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值)
55 毫欧 @ 3.4A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值)
1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值)
12.3nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值)
422pF @ 15V
功率 - 大值
850mW
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
供应商器件封装
TSOT-26
基本产品编号
DMG6601
企业名:深圳市英特翎科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-83299553
手机:15712006850
联系人:陈先生
微信:
邮箱:nikki-wxp@interine.com
地址:广东深圳深圳市华强北新亚洲电子商城一期6楼628室