绝缘栅场效应管的种类较多，有PMOS、NMOS和VMOS功率管等，但目前应用多的是MOS管。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，简称作MOS管。它具有比结型场效应管更高的输入阻抗（可达1012Ω以上），并且制造工艺比较简单，使用灵活方便，非常有利于高度集成化。

　　绝缘栅场效应管NCE40TD120T采用NCE独有的沟槽设计和先进的FS (fied stop)第二代技术，1200V沟槽FS II IGBT具有优越的导通和开关性能，易于并行操作；

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　　绝缘栅场效应管NCE40TD120T特性：

　　海沟FSII技术提供

　　VCE非常低(坐)

　　高速开关

　　在VCE正温度系数(坐)

　　参数分布非常紧密

　　强度高，温度稳定

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　　绝缘栅场效应管NCE40TD120T应用程序：

　　变频器

　　不间断电源

　　太阳能逆变器

　　焊接转换器

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　　额定值(TC=25℃，除非另有说明):

　　集电极发射极电压：1200V

　　栅极发射极电压：±30v

　　集电极电流：80

　　集电极电流@TC=100℃：40a

　　脉冲集电极电流：160A

　　二极管连续正向电流@TC=100℃：20a

　　二极管正向电流：80a

　　TC=25°C时的功耗：480W

　　功耗@TC=100℃：192w

　　操作结和存储温度范围：-55+150℃

　　焊接的温度：260℃

　　短路耐受时间VGE=15.0V,VCC≤600V，允许数量

　　短路之间的短路<1000时间：≥1.0s,Tvj=150℃：10us

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　　电气特性(TC=25℃，除非另有说明)：

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