薄膜场效应晶体管是一种绝缘栅场效应晶体管，薄膜场效应晶体管NCE15TD60BF采用NCE独有的沟槽设计和先进的FS (Field Stop)第二代技术，600V沟槽FSII IGBT具有优越的导通和开关性能，易于并行操作;

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　　薄膜场效应晶体管特性：

　　海沟FSII技术提供

　　非常低的VCE(坐)

　　高速开关

　　正温度系数的VCE(坐)

　　非常紧参数分布

　　强度高，温度稳定

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　　应用程序：

　　空调

　　逆变器

　　马达驱动器

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　　额定值(TC=25℃，除非另有说明)：

　　VGES栅极发射极电压：±30v

　　集电极电流：24*24;

　　集电极电流@TC=100°C：15,15*

　　脉冲电流收集器,tpTjmax限制：45A,45A

　　关闭安全操作区域,VCE=600v,Tj=150℃：45A,45A

　　二极管正向电流连续@TC=100°C：15A,15*

　　二极管正向电流：45,45

　　功耗@TC=25°C：105;34W

　　功耗@TC=100°C：42;13.6W

　　操作结和存储温度范围：-55+150℃

　　焊接的温度：260℃

　　（备注：前者TO-220/TO-263，后者TO-220F封装，以下全部适用）

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　　测试电路：

企业名：深圳市誉辉天成电子有限公司

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