数据列表BSC117N08NS5;

标准包装  5,000包装  标准卷带 零件状态在售类别分立半导体产品产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单系列OptiMOS™

规格FET 类型N 沟道技术MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）80V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）49A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）11.7 毫欧 @ 25A，10V不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）3.8V @ 22μA不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）18nC @ 10VVgs（最大值）±20V不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）1300pF @ 40VFET 功能-功率耗散（最大值）2.5W（Ta），50W（Tc）工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装供应商器件封装PG-TDSON-8封装/外壳8-PowerTDFN

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