7MBR35SD120
FUJITSU(富士通)
普通型
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正如图 1-2所表示的理想的等效电路那样,IGBT 是pnp 双极型晶体管和功率MOSFET 进行达林顿连接后形成的单片级联型Bi-MOS 晶体管。此外,IGBT 与双极型晶体管的芯片和功率MOSFET 的芯片共同组合成的混合级联型Bi-MOS 晶体管的区别就在于功率MOSFET 部的通态电阻。在IGBT 中功率MOSFET部的通态电阻变得其微小,再考虑到芯片间需要布线这一点,IGBT 比混合级联型Bi-MOS 晶体管优越。
图 1-2 理想的等效电路
相似型号:
7MBR10SA(SB)120
7MBR15NE(NF)120
7MBR15SA120
7MBR15(25)LC-120
7MBR25NE(NF)120
7MBR25SA120
7MBR35SA(SB)120
7MBR35SD120
7MBR50SA(SB)120
7MBR50SD120
7MBR15LD120
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