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详细介绍：

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列-规格FET

 类型N 

通道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）13A（Ta），34A

（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）12 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）17nC @ 10VVgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）910pF @ 15V

FET 功能-功率耗散（值）3.1W（Ta），23W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装8-DFN（3x3）

封装/外壳8-PowerVDFN

类别分立半导体产品

产品族晶体管 - FET，MOSFET - 单

系列-规格FET

类型N

通道技术MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）30V电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）13A（Ta），34A

（Tc）驱动电压（ Rds On， Rds On）4.5V，10V

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（值）12 毫欧 @ 20A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（值）2.5V @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（值）17nC @ 10VVgs（值）±20V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（值）910pF @ 15V

FET 功能-功率耗散（值）3.1W（Ta），23W（Tc）

工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型表面贴装型

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封装/外壳8-PowerVDFN

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类型：原厂制造商

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