本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：12 A
Rds上漏源导通电阻：175毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：4 V
Qg-血浆甲醛：12.7 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：45 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：2.5 S
下降时间：37 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：55 ns
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：23 ns
典型起始延迟时间：13 ns
零件号别名：IRF9Z24NPBF SP001555934
单位重量：6 g

HEXFETD功率mosfet先进工艺技术动态dv/dt额定值vdss=-55V

175C工作温度fast开关rds（开）=0。17552e P-channeGFully

 Avalanche Rated=-12A说明来自国际整流器的第五代HEXFET SF

利用先进的处理技术实现每个硅区域的极低导通电阻。这一优点，

加上HEXFET功率mosfet众所周知的快速开关速度和加固的器件设计，

为设计人员提供了一种非常高效和可靠的器件，可用于多种应用。

TO-220封装在功耗水平上普遍适用于所有商业工业应用大约50瓦。

TO-220TO-220AB的低耐热性和低封装成本，使其在整个行业中

得到广泛的接受，额定值sparametermaxunitib O Tc=25°C

连续漏极电流。Ves 0-10vID@Te=100C连续漏极电流，Vss 0-10V-8.5Po

@Tc=25C功耗和脉冲漏极电流线性降额系数0.30W/CGate至源电压+20

单脉冲雪崩能量Javalanche电流-7-2相对雪崩能量O4.5峰值二极管恢复

dv/dt e-5.0vms工作结和55至+175存储温度范围焊接温度。持续10秒300

（1。距壳体安装扭矩6mm，6-32或M3螺钉10 Ibf in（1。1NM）热

阻参数。单元3.3RecsCase-to-sink，平面，润滑表面0。50与周围环境的关系。

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