本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：29 A
Rds漏源导通电阻：40毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：22.7 nC
Pd-功率耗散：68 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFZ34NSTRLPBF SP001568092
单位重量：4 g
特征
•先进的工艺技术
•表面贴装（IRFZ34NS）
•薄型通孔（IRFZ34NL）
•175°C工作温度
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，

以实现极低的每硅面积导通电阻。这项优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器

件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠

的器件，可广泛用于各种应用中。
D2Pak是一种表面安装电源封装，能够容纳高达HEX-4

的裸片尺寸。它提供了
在任何现有的表面贴装封装中，都具有最高的功率能力

和的导通电阻。 D2Pak的内部连接电阻低，因此适

合大电流应用，在典型的表面安装应用中，其耗散功率

高达2.0W。
通孔版本（IRFZ34NL）可用于薄型应用。

最大绝对额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10Va:	29	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10Va:	20
IDM	Pulsed Drain Current CDa:	100
PD @TA = 25°C	Power Dissipation	3.8	W
PD @TC = 25°C	Power Dissipation	68	W
	Linear Derating Factor	0.45	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	士 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy0a:	130	mJ
IAR	Avalanche CurrentCD	16	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD	5.6	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt CTa:	5.0	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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