本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-220-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：48 A
Rds上漏源导通电阻：26毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：16 V
Qg-血浆甲醛：93.3 nC
Pd-功率耗散：200 W
封装：Tube
配置：单
高度：15.65毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：4.4毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：1000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRL2910PBF SP001576496
单位重量：6 g
特征

无铅
逻辑电平门驱动器
先进工艺技术
超低导通电阻
动态dv/at额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩额定值
说明
来自国际整流器的第五代HEXFET采用先进的加工技术，

以实现每硅面积的极低导通电阻。这一优点，加上HEXFET

功率mosfet众所周知的快速开关速度和坚固的器件设计，

为设计者提供了一个非常高效和可靠的器件，可用于多种应用。

TO-220封装在功率耗散水平的所有商业工业应用中都是普遍

的大约50瓦。TO-220的低耐热性和低包装成本使其在

整个工业中得到广泛的接受。

额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)	350CD	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)	250CD
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)	195
IDM	Pulsed Drain Current 0	1390
PD @TC = 25°C	Maximum Power Dissipation	380	W
	Linear Derating Factor	2.5	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
dv/dt	Peak Diode Recovery ®	2.0	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10lb·in (1.1N·m)

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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