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IRFI4020H-117P MOSFET ▊进口原装现货▊

IRFI4020H-117P MOSFET  ▊进口原装现货▊
IRFI4020H-117P MOSFET  ▊进口原装现货▊
金牌会员 第 14
  • 企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-28892811

    手机:13717085518

    联系人:张凯

    QQ: QQ:375496263

    微信:

    邮箱:szksy82@126.com

    地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

商品信息

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-220FP-5
晶体管极性:N沟道
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:200 V
Id-连续直流电流:9.1 A
Rds漏源导通电阻:80毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Qg-血浆甲醛:19 nC
工作温度:-55 C
Pd-功率耗散:21 W
通道模式:增强
封装:Tube
配置:双
高度:16.15毫米
长度:10.65毫米
晶体管类型:2 N沟道
宽度:4.85毫米
商标:Infineon / IR
下降时间:4 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:8 ns
工厂包装数量:1000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:18 ns
典型起始延迟时间:8.4 ns
零件号别名:IRFI4020H-117P SP001556636
单位重量:6 g
特征
•集成半桥套件
•零件数量减少一半
•促进更好的PCB布局
•针对D类音频放大器应用优化的关键参数
•低RDS(ON)可提高效率
•Qg和Qsw低,以获得更好的THD和
提高效率
•低Qrr可获得更好的THD和更低的EMI
•在半桥配置放大器中,每通道可向8负载提供高达300W的功率
•无铅包装
描述
此数字音频MosFET半桥是专门为D类音频放大器应用而设计的。

它由两个以半桥配置连接的功率MosFET开关组成。工艺

用于实现每个硅面积的低导通电阻。此外,优化了栅极电荷,

体二极管反向恢复和内部栅极电阻,以改善D类音频放大器

的关键性能指标,例如效率,THD和EMI。这些结合在一起

使该半桥成为用于D类音频放大器应用的高效,坚固和可靠的设备。

额定值

Parameter

Max.

Units

VDS

Drain-to-Source Voltage

200

V

VGS

Gate-to-Source Voltage

±20

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

9.1

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

5.7

IDM

Pulsed Drain Current G)

36

PD @TC = 25°C

Power Dissipation ©

21

W

PD @TC = 100°C

Power Dissipation ©

8.5

 

Linear Derating Factor

0.17

W/°C

EAS

Single Pulse Avalanche Energy{£)  

130

mJ

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 150

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds

(1.6mm from case)

300

 

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10lb"in (1.1N"m)

联系方式

企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-28892811

手机:13717085518

联系人:张凯

QQ: QQ:375496263

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邮箱:szksy82@126.com

地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

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