本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：DirectFET-SH
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：4.2 A
Rds上漏源导通电阻：53毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：8.7 nC
工作温度：-40 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：42 W
通道模式：增强
商标名：DirectFET
封装：剪切带
封装：Reel
配置：单
高度：0.7毫米
长度：4.85毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.95毫米
商标：Infineon Technologies
下降时间：4.3 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：2.8 ns
工厂包装数量：4800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：14 ns
典型起始延迟时间：7.4 ns
零件号别名：IRF6665TRPBF SP001559710

特征
的MOSFET硅技术
针对D类音频放大器应用优化的关键参数
低RDS（on）可提高效率
较低的质量以获得更好的总谐波失真和更高的效率
低Qrr可提供更好的THD和更低的EMI
低封装杂散电感，可减少振铃并降低EMI
无散热片®l时，每个通道可将高达100W的功率传输到8
双面冷却兼容
•与现有的表面贴装技术兼容
•符合RoHS标准，不含铅或溴
•无铅（符合260°C回流焊标准）
描述
该数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET利用的处理技术来实现每硅面积的低导通电阻。此外，优化了栅极电荷，体二极管反向恢复和内部栅极电阻，以改善关键的D类音频放大器性能因素，例如效率，THD和EMI。
IRF6665PbF器件采用DirectFETTM封装技术。与传统的引线键合SOIC封装相比，DirectFETTM封装技术提供了更低的寄生电感和电阻。较低的电感通过减少伴随快速电流瞬变的电压振铃来提高EMI性能。当遵循应用说明AN-1035的制造方法和工艺时，DirectFETTM封装与电力应用，PCB组装设备和气相，红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何形状兼容。 DirectFETTM封装还允许双面冷却，以限度地提高电源系统中的热传递，从而改善热阻和功耗。这些特性相结合，使该MSFET成为适用于D类音频放大器应用的高效，坚固和可靠的器件。

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