本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：9.1 A
Rds上漏源导通电阻：210毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：16.7 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：39 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 N沟道
类型：HEXFET功率MOSFET
宽度：6.22毫米
商标：Infineon Technologies
下降时间：23 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：23 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：32 ns
典型起始延迟时间：4.5 ns
零件号别名：IRFR120NTRPBF SP001566944
单位重量：4 g
特征

表面安装（IRFR120N）
直导线（RFU120N）
先进工艺技术
快速切换
完全雪崩额定值

无铅

描述

第五代HEXFET SFfrom I I nternational整流器利用先进的处理技术，

实现每硅面积的电阻。它的优点，加上HEXFET功率mosfet众

所周知的快速开关速度和加固的器件设计，为设计人员提供了一种

非常高效的器件，可用于多种应用中。D-PAK设计用于使用气相、

红外或波峰焊接技术的表面安装。直引线版本（用于通孔安装的IRFU系列）。

在典型的表面贴装应用中，功耗水平可达到1.5瓦

额定值sparametermaxunitsip 0 Tc=25C连续漏极电流，

Vs 10v9.4Ip e Tc=100连续漏极电流，Vos 2 10v6.6脉冲漏极电流

O16POOTC-25C功耗线性降额系数0.32AWFvVCgate-to-source Vtage±20

单脉冲雪崩能量（6MJAvalanche电流（67重复雪崩能量YO 6dv/at峰值

二极管恢复diat 3>5.0V/n工作结和存储温度范围焊接温度）。对于10秒300

（1.6mm ftom机箱热阻参数maxUnitsFunction-to-case3.r Function-to-ambient

（PCB安装）克拉荷根-环境110

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类型：贸易/代理/分销

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