本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：13 A
Rds上漏源导通电阻：10.5毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.8 V
Qg-萘甲酸：9.5 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2.5 W
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-预期：62 S
下降时间：3.8 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：6.3 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：11 ns
典型起始延迟时间：8.7 ns
零件号别名：IRF7413ZTRPBF SP001555342
单位重量：506.600毫克
应用领域
•用于笔记本处理器电源的控制FET
•用于计算，网络和电信系统中的图形卡和POL

转换器的控制和同步整流MOSFET
好处
•超低门阻抗
•RDS非常低（开）
•全面表征雪崩电压和电流
•100％经过RG测试
•无铅

额定值

	Parameter	Max.	Units
VDS	Drain-to-Source Voltage	30	V
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20
ID @ TA = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	13	A
ID @ TA = 70°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V	10
IDM	Pulsed Drain Current CD	100
PD @TA = 25°C	Power Dissipation	2.5	W
PD @TA = 70°C	Power Dissipation	1.6
	Linear Derating Factor	0.02	W/°C
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 150	°C

热阻

	Parameter	Typ.	Max.	Units
RqJL	Junction-to-Drain Lead	–––	20	°C/W
RqJA	Junction-to-Ambient ®	–––	50

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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