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IRFP3006PBF MOSFET ▊进口原装现货▊

IRFP3006PBF MOSFET  ▊进口原装现货▊
IRFP3006PBF MOSFET  ▊进口原装现货▊
金牌会员 第 14
  • 企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

    类型:贸易/代理/分销

    电话: 0755-28892811

    手机:13717085518

    联系人:张凯

    QQ: QQ:375496263

    微信:

    邮箱:szksy82@126.com

    地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

商品信息

本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。


制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:通孔
封装/箱体:TO-247-3
晶体管极性:N沟道
通道数量:1个频道
Vds-漏源极击穿电压:60 V
Id-连续直流电流:195 A
Rds漏源导通电阻:2.5毫欧
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-萘甲酸:300 nC
Pd-功率耗散:375 W
封装:Tube
配置:单
高度:20.7毫米
长度:15.87毫米
MOSFET晶体管类型:1 N沟道
宽度:5.31毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-对抗:280 S
下降时间:189 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:182 ns
工厂包装数量:400
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:118 ns
典型起始延迟时间:16 ns
零件号别名:IRFP3006PBF SP001556714
单位重量:38 g
应用领域
SMPS中的高效同步整流
不间断电源
高速电源开关
硬开关和高频电路
好处
改进了Gate,雪崩和动态dV / dt坚固性
全面表征的电容和雪崩SOA
增强的体二极管dV / dt和dI / dt能力
无铅

额定值

Symbol

Parameter

Max.

Units

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)

270

A

ID @ TC = 100°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V(Silicon Limited)

190

ID @ TC = 25°C

Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)

195

IDM

Pulsed Drain Current

1080

 

PD @TC = 25°C

Maximum Power Dissipation

375

W

 

Linear Derating Factor

2.5

W/°C

VGS

Gate-to-Source Voltage

± 20

V

dv/dt

Peak Diode Recovery

10

V/ns

TJ

TSTG

Operating Junction and

Storage Temperature Range

-55 to + 175

 

°C

 

Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)

300

 

Mounting torque, 6-32 or M3 screw

10lbfŸin (1.1NŸm)

热阻

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Units

RqJC

Junction-to-Case ˆ

–––

0.4

 

°C/W

RqCS

Case-to-Sink, Flat Greased Surface

0.24

–––

RqJA

Junction-to-Ambient

–––

40

联系方式

企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司

类型:贸易/代理/分销

电话: 0755-28892811

手机:13717085518

联系人:张凯

QQ: QQ:375496263

微信:

邮箱:szksy82@126.com

地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼

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