本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：3.1 A
Rds上漏源导通电阻：205毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
最小工作温度：-55 C
最大工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：66 W
通道模式：增强
资质：AEC-Q101
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 P通道
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：46 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：58 ns
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：45 ns
典型起始延迟时间：15 ns
零件号别名：AUIRFR5410TRL SP001521222
单位重量：4 g
特征
先进的平面技术
P沟道MOSFET
导通电阻低
动态dV / dT额定值
175°C工作温度
快速切换
完全雪崩等级
重复雪崩允许最大Tjmax
无铅，符合RoHS
汽车合格*
描述
HEXFET®功率MOSFET的这种蜂窝平面设计是专门

为汽车应用而设计的，它利用最新的处理技术来实

现每硅面积的低导通电阻。 这种优势与HEXFET功率

MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件

设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效和

可靠的器件，可用于汽车和其他各种应用。

最大绝对额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ -10V	-13	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ -10V	-8.2
IDM	Pulsed Drain Current 	-52
PD @TC = 25°C	Maximum Power Dissipation	66	W
	Linear Derating Factor	0.53	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy (Thermally Limited) ‚	194	mJ A
IAR	Avalanche Current 	-8.4
EAR	Repetitive Avalanche Energy 	6.3	mJ
dv/dt	Pead Diode Recovery dv/dtƒ	-5.0	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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