本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-263-3
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：40 V
Id-连续直流电流：195 A
Rds上漏源导通电阻：1.8毫欧
Qg-萘甲酸：150 nC
Pd-功率耗散：230 W
资质：AEC-Q101
商标名：CoolIRFet
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：4.4毫米
长度：10毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：9.25毫米
商标：Infineon / IR
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：800
子类别：MOSFET
零件号别名：AUIRFS8407TRL SP001520480
单位重量：4 g
特征
•先进的工艺技术
•新型超低导通电阻
•175°C工作温度
•快速切换
•重复雪崩允许Tjmax
•无铅，符合RoHS
•汽车合格*
描述
这款HEXFET®功率MOSFET专为汽车应用而设计，

利用的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。

 此设计的其他功能是175°C的结温，快速的开关

速度和改进的重复雪崩额定值。 这些功能相结合，

使该设计成为一种非常有效且可靠的器件，可用于汽车应用以及各种其他应用。
应用领域
•电动助力转向（EPS）
•电池开关
•启动/停止微混合动力
•重物
•DC-DC应用

额定值

Symbol	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)	250CD	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited)	180
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited)	195
IDM	Pulsed Drain Current (￡)	1000@
PD @TC = 25°C	Maximum Power Dissipation	230	W
	Linear Derating Factor	1.5	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	± 20	V
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55  to + 175	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case)	300
	Mounting torque, 6-32 or M3 screw	10lbf· in (1.1N· m)

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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