本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：SO-8
晶体管极性：P-Channel
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：30 V
Id-连续直流电流：4.9 A
Rds上漏源导通电阻：76毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1 V
Qg-血浆甲醛：23 nC
工作温度：-55 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：2 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.75毫米
长度：4.9毫米
晶体管类型：2 P通道
宽度：3.9毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：7.7 S
下降时间：32 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：13 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：34 ns
典型起始延迟时间：13 ns
零件号别名：IRF7316TRPBF SP001565294
单位重量：506.600毫克
特征

•第五代技术
•超低导通电阻
•双P沟道MOSFET
•表面贴装
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，

以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET

功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器

件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠

的器件，可广泛用于各种应用中。
SO-8已通过定制的引线框架进行了修改，以增强热特性

和多芯片能力，使其成为各种电源应用的理想选择。 通

过这些改进，可以在一块板子空间大大减少的应用中使用

多种设备。 该封装设计用于气相，红外或波峰焊技术。
额定值

		Symbol	Maximum	Units
Drain-Source Voltage		VOS	-30	V
Gate-Source Voltage		VGS	士 20
Continuous Drain Current(i)	TA = 25°C	ID	-4.9 -3.9	A
	TA = 70°C
Pulsed Drain Current		IOM	-30
Continuous Source Current (Diode Conduction)		IS	-2.5
Maximum Power Dissipation (i)	TA = 25°C	PD	2.0	w
	TA = 70°C		1.3
Single Pulse Avalanche Energy		EAS	140	mJ
Avalanche Current		IAR	-2.8	A
Repetitive Avalanche Energy		EAR	0.20	mJ
Peak Diode Recovery dv/dt CT		dv/dt	-5.0	V/ ns
Junction and Storage Temperature Range		TJ, TSTG	-55 to + 150	°C

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

电话： 0755-28892811

手机：13717085518

联系人：张凯

QQ：

微信：

邮箱：szksy82@126.com

地址：广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼