本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：TO-252-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：55 V
Id-连续直流电流：20 A
Rds上漏源导通电阻：170毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1 V
Qg-血浆甲醛：31 nC
工作温度：-40 C
工作温度：+ 175 C
Pd-功率耗散：79 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：2.3毫米
长度：6.5毫米
晶体管类型：1 P通道
类型：数字音频MOSFET
宽度：6.22毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-加速度：5.3 S
下降时间：9.5 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：24 ns
工厂包装数量：2000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：21 ns
典型起始延迟时间：9.5 ns
零件号别名：IRLR9343TRPBF SP001552884
单位重量：4 g
特征
•先进的工艺技术
•针对D类音频放大器应用优化的关键参数
•RDSON低，可提高效率
•较低的Qg和Qsw，以实现更好的THD和更高的效率
•低Qrr可获得更好的THD和更低的EMI
•175°C的工作结温，坚固耐用
•重复的雪崩能力，具有坚固性和可靠性
•多种包装选项
•无铅

描述
此Digital AudioHEXFET®是专门为D类音频放大器应用而设计的。 该MosFET利用的处理技术来实现每硅面积的低导通电阻。 此外，优化了栅极电荷，体二极管反向恢复和内部栅极电阻，以改善D类音频放大器的关键性能指标，例如效率，THD和EMI。 MsFET的其他功能是175°C的工作结温和重复雪崩能力。 这些功能相结合，使该MosFET成为用于D类音频放大器的高效，坚固和可靠的设备
应用程序。

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