IRF7380TRPBF
IR
SOP-8
无铅环保型
贴片式
卷带编带包装
企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-28892811
手机:13717085518
联系人:张凯
微信:
邮箱:szksy82@126.com
地址:广东深圳深圳市福田区振华路深纺大厦C座西六楼
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS:详细信息
技术:Si
安装风格:SMD / SMT
封装/箱体:SO-8
MOSFET晶体管极性:N沟道
通道数量:2频道
Vds-漏源极击穿电压:80 V
Id-连续直流电流:3.6 A
Rds漏源导通电阻:73毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压:20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:4 V
Qg-萘甲酸:15 nC
工作温度:-55 C
工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:2 W
封装:剪切带
封装:MouseReel
封装:Reel
配置:双
高度:1.75毫米
长度:4.9毫米
晶体管类型:2 N沟道
宽度:3.9毫米
商标:Infineon / IR
正向跨导-加速度:4.3 S
下降时间:17 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:10 ns
工厂包装数量:4000
子类别:MOSFET
典型关闭延迟时间:41 ns
典型起始延迟时间:9 ns
零件号别名:IRF7380TRPBF SP001574936
单位重量:540毫克
应用领域
•高频DC-DC转换器
•无铅
好处
•低栅极至漏极电荷以减少开关损耗
•全面表征的电容,包括有效的COSS来简化设计,(请参见应用笔记AN1001)
•全面表征雪崩电压和电流
额定值
|
Parameter |
Max. |
Units |
VDS |
Drain-to-Source Voltage |
80 |
V |
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 20 |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
3.6 |
A |
ID @ TA = 100°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 10V |
2.9 |
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
29 |
|
PD @TA = 25°C |
Maximum Power Dissipation |
2.0 |
W |
|
Linear Derating Factor |
0.02 |
W/°C |
dv/dt |
Peak Diode Recovery dv/dt ® |
2.3 |
V/ns |
TJ TSTG |
Operating Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
|
Parameter |
Typ. |
Max. |
Units |
RqJL |
Junction-to-Drain Lead |
––– |
42 |
°C/W |
RqJA |
Junction-to-Ambient (PCB Mount) © |
––– |
62.5 |
企业名:深圳市凯斯宇科技有限公司
类型:贸易/代理/分销
电话: 0755-28892811
手机:13717085518
联系人:张凯
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邮箱:szksy82@126.com
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