本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：DirectFET-SJ
晶体管极性：N沟道
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：5.7 A
Rds上漏源导通电阻：28毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-血浆甲醛：14 nC
工作温度：-40 C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：42 W
通道模式：增强
商标名：DirectFET
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：单
高度：0.7毫米
长度：4.85毫米
晶体管类型：1 N沟道
宽度：3.95毫米
商标：Infineon / IR
下降时间：5.1 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：5 ns
工厂包装数量：4800
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：18 ns
典型起始延迟时间：9.2 ns
零件号别名：IRF6645TRPBF SP001562050
符合RoHS，无卤素
无铅（符合260°C回流焊标准）
专用MOSFET
高性能隔离转换器的理想选择
主开关插座
针对同步整流进行了优化
低传导损耗
高Cdv / dt免疫力
薄型（<0.7mm）
双面散热兼容
与现有的表面贴装技术兼容
描述
IRF6645PbF将的HEXFET®功率MOSFET硅技术与先进的DirectFETTM封装相结合，以实现
具有Micro8占位面积和只有0.7 mm外形的封装中具有的导通状态电阻。 DirectFET封装与
电力应用，PCB组装设备和气相，红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何形状，
关于制造方法和过程，请遵循应用笔记AN-1035。 DirectFET封装允许双面冷却
化电力系统中的热传递，将以前的热阻提高80％。
IRF6645PbF针对隔离式DC-DC应用中的初级侧桥拓扑进行了优化，适用于广泛的通用输入电信
应用（36V-75V），以及用于稳压DC-DC拓扑中的次级侧同步整流。减少设备的总损耗
结合高水平的热性能可实现高效率和低温，这对于系统可靠性至关重要
改进，使该器件非常适合高性能隔离式DC-DC转换器。

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类型：贸易/代理/分销

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