本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。

制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：通孔
封装/箱体：TO-251-3
晶体管极性：P-Channel
通道数量：1个频道
Vds-漏源极击穿电压：100 V
Id-连续直流电流：13 A
Rds上漏源导通电阻：205毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：20 V
Qg-萘甲酸：38.7 nC
Pd-功率耗散：66 W
封装：Tube
配置：单
高度：6.22毫米
长度：6.73 mm
晶体管类型：1 P通道
宽度：2.38毫米
商标：Infineon Technologies
产品类型：MOSFET
工厂包装数量：3000
子类别：MOSFET
零件号别名：IRFU5410PBF SP001557796
单位重量：4 g
特征

•超低导通电阻
•P通道
•表面贴装（IRFR5410）
•直引线（IRFU5410）
•先进的工艺技术
•快速切换
•完全雪崩等级
•无铅
描述
国际整流器公司的第五代HEXFET采用先进的处理技术，以实现极低的每硅面积导通电阻。 这项优势与HEXFET功率MOSFET众所周知的快速开关速度和坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种极其有效和可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
D-Pak专为使用气相，红外或波峰焊技术进行表面安装而设计。 直引线版本（IRFU系列）用于通孔安装应用。 在典型的表面贴装应用中，功耗可能高达1.5瓦。
额定值

	Parameter	Max.	Units
ID @ TC = 25°C	Continuous Drain Current, VGS @ -10V	-13	A
ID @ TC = 100°C	Continuous Drain Current, VGS @ -10V	-8.2
IDM	Pulsed Drain Current CD	-52
PD @TC = 25°C	Power Dissipation	66	W
	Linear Derating Factor	0.53	W/°C
VGS	Gate-to-Source Voltage	士 20	V
EAS	Single Pulse Avalanche Energy0	194	mJ
IAR	Avalanche CurrentCD	-8.4	A
EAR	Repetitive Avalanche EnergyCD	6.3	mJ
dv/dt	Peak Diode Recovery dv/dt a>	-5.0	V/ns
TJ TSTG	Operating Junction and Storage Temperature Range	-55 to + 150	°C
	Soldering Temperature, for 10 seconds	300 (1.6mm from case )

企业名：深圳市凯斯宇科技有限公司

类型：贸易/代理/分销

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