产品型号：TK10A60W

1. Applications
• Switching Voltage Regulators
2. Features
(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.327 Ω (typ.)
by used to Super Junction Structure : DTMOS
(2) Easy to control Gate switching
(3) Enhancement mode: Vth = 2.7 to 3.7 V (VDS = 10 V, ID = 0.5 mA)
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

漏极电流Id(A):9.7

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.38@VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3.7

功率PD(W):30

极间电容Ciss(PF):700

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220F  /-55 ~150

描述:600V,9.7A MOSFETs Silicon N-Channel MOS

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