AO4818场效应管采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷。 该器件适合用作负载开关或PWM应用。

    AO4818场效应管规格：

    制造商零件编号：AO4818B

    制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc

    描述：MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC

    FET 类型：2 个 N 沟道（双）

    FET 功能：逻辑电平门

    漏源极电压 (Vdss)：30V

    电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8A

    不同 Id、Vgs 时的 Rds On（值）：19 毫欧 @ 8A，10V

    不同 Id 时的 Vgs(th)（值）：2.4V @ 250μA

    不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：18nC @ 10V

    不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：888pF @ 15V

    功率 - 值：2W

    安装类型：表面贴装

    封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

    供应商器件封装：8-SOIC

    场效应管的使用注意事项

    (1)为了安全使用场效应管,在线路的设计中不能超过管的耗散功率,漏源电压、栅源电压和电流等参数的极限值.

    (2)各类型场效应管在使用时,都要严格按要求的偏置接人电路中,要遵守场效应管偏置的极性.如结型场效应管栅源漏之间是PN结,N沟道管栅极不能加正偏压;P沟道管栅极不能加负偏压,等等.

    (3)MOS场效应管由于输人阻抗极高,所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路,要用金属屏蔽包装,以防止外来感应电势将栅极击穿.尤其要注意,不能将MOS场效应管放人塑料盒子内,保存时放在金属盒内,同时也要注意管的防潮.

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